فاصله شعاعی[14] : به خطی که هواپیما را به ایستگاه وصل میکند، فاصله شعاعی گویند که در این متن با نامهای فاصله یا مسافت[15] : نیز از آن نام برده میشود. شکل (1-1) فاصله شعاعی را نشان میدهد.
زاویه سمت : به زاویه ایجاد شده بین بردار شمال مغناطیسی و خط واصل از بدنه هواپیما تا ایستگاه زمینی، در جهت حرکت عقربههای ساعت، زاویه سمت میگویند. شکل (1-1) این زاویه را نمایش میدهد.
3 |
رادیال[16] : به زاویه ایجاد شده بین بردار شمال مغناطیسی و خط واصل از ایستگاه زمینی تا بدنه هواپیما در جهت حرکت عقربههای ساعت، رادیال گفته میشود. شکل (1-1) این مطلب را نمایش داده است.
سامانه VOR اطلاعات زیر را برای خلبان و ناوبر مهیا میکند:
الف – تعیین سمت هواپیما نسبت به ایستگاه زمینی و نمایش اطلاعات سمت
ب – نمایش اطلاعات مربوط به انحراف از مسیر در واحد درجه
پ – شناسایی ایستگاه زمینی به هواپیما از طریق ارسال کد مورس (پیوست 3)
ت – ارتباط رادیویی بین ایستگاه و هواپیما
ث – تعیین جهت حرکت هواپیما نسبت به ایستگاه (نزدیکشونده یا دورشونده بودن) توسط نمادTO یا FROM
ح – فرود هواپیما
[1] Global positioning system
[2] Tactical Air Navigation
[3] VHF omnidirectional range
[4] Wide Area Augmentation System
[5] Local Area Augmentation System
[6] Inertial Navigation System
[7] visual aural range
[8] Non Directional Beacon
[9] international civil aircraft organization (ICAO)
[10] multipath
[11] Bearing
[12] Conventional VHF Omni directional Range
[13] Doppler VHF Omni directional Range
[14] Salnt Range
[15] Distance
[16] Radial
***ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است***
متن کامل را می توانید دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)
ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه
با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند
موجود است
رادارها در واقع سنسورهای الکترومغناطیسی هستند که برای موقعیتیابی و تعقیب اهداف گوناگون در فضا مورد استفاده قرار میگیرند. رادار ها در فرکانس ها و توان های مختلف، برای کاریرد های بسیار متنوع طراحی شده و به کار برده می شوند. مشخصاتی که در رادار ها باید مورد توجه قرار گیرد برد و دقت بالا می باشد. اغلب رادار ها در محدوده فرکانس های باند VHF تا باند C ساخته می شوند. در فرکانس های باند VHF رادار ها دارای برد بلند و دقت پایین بوده و همینطور که فرکانس ها به سمت باند C می روند، برد کاهش پیدا کرده ودر عوض دقت بالاتر می رود. بنابر این بیشترین توجه در رادار ها مربوط به باند های L وS می باشد.در این دو باند یک سازگاری بین دو مساله دقت و برد وجود دارد. بدین معنی که برد رادار نسبتا قابل قبول بوده و رادار دارای دقت خوبی نیز می باشد. در بین این دو باند، باند S نیز بیشترین کاربرد را در سراسر دنیا داشته و بیشترین رادار ها در این باند طراحی و ساخته می شوند.
رادارها در واقع انرژی الکترومغناطیسی را از طریق آنتن در فضا تشعشع[1] میکنند. بخشی از انرژی تشعشع شده، به یک شیء که اغلب هدف[2] نامیده میشود، برخورد میکند و در جهات گوناگون بازتابیده[3] میشود. بخشی از این انرژی بازتابیده شده، به سمت رادار منتشر شده و توسط آنتن دریافت میگردد و پس از آن، عملیات تقویت و پردازش سیگنال[4]و … بر روی آن انجام می شود.
بنابراین بخش مهمی از سیستمهای راداری، آنتن است که بسته به مأموریت سیستم، مشخصات گوناگونی می تواند داشته باشد. امروزه استفاده از تکنولوژی رادارهای آرایه فازی[5]که در آن از آنتن های آرایه ای استفاده می شود کاربردهای بسیاری یافته است. آنتنهای آرایهای مزایای زیادی دارند که از آن جمله میتوان به توانایی ایجاد جهت دهندگی[6]یا بهره بالا و قابلیتهای مختلف شکل دهی[7] پرتو اشاره کرد. باند فرکانسی، مأموریت راداری، پهنای باند مورد نظر، میزان توان ارسالی، میزان بهره مورد نظر و … از عوامل تعیین کننده نوع المان به کار رفته در آنتن های آرایه ای است.
آرایههای موجبر شکافدار[8] درسال 1943 در دانشگاه McGillدر Montrealابداع گردید..]1[ سادگی هندسه ساختار آنتنهای موجبری شکافدار، راندمان خوب، توانایی ایجاد امواج با پلاریزاسیونهای خطی، توانایی ارسال بیمهای broadside، قابلیت حمل توان بالا و … از ویژگیهای مهم این نوع آنتنها است که سبب شده در کاربردهای راداری مورد توجه قرار بگیرند. خصوصاً در کاربردهای هوایی این نوع آنتن ها گزینه مناسبی هستند چرا که می توان آنها را بر روی بال ها و بدنه هواپیما قرار دارد. اغلب این نوع آنتنها را می توان در فرکانس های 2 تا 24 گیگا هرتز مورد استفاده قرار داد..]2[
این نمونه آنتن ها به دلیل خواص منحصر به فردی که دارند به صورت گسترده در طراحی وساخت آنتن های آرایه فازی مورد استفاده قرار می گیرند. این آنتن ها بسته به نوع شكاف استفاده شده و نوع ساختار به كار رفته طبقه بندی می شوند. به طور كلی ساختار های این آنتن ها به دو دسته رزونانسی[9] وموج رونده[10] تقسیم می شوند.آرایه های موج رونده به دلیل پهنای باند فرکانسی بالا، در کاربرد های بسیار متعددی استفاده می شوند..]1[
زمانی که نیاز به پلاریزاسیون عمودی می باشد، از شکاف های اریب[11] روی بدنه باریک موجبر استفاده می شود. اما رسیدن به سطح لوب کناری[12] پایین در مورد این آرایه ها همیشه به عنوان یک گلوگاه مطرح بوده است. همچنین شکاف های اریب روی بدنه باریک
موجبر دارای پلاریزاسیون متقاطع[13] بسیار بدی می باشند. از این رو تا به حال تلاش های بسیار زیادی برای کاهش پلاریزاسیون متقاطع این نمونه از شکاف ها انجام گرفته است که همگی آن ها از لحاظ ساخت بسیار مشکل می باشند.]3-10[ در این تحقیق یک آرایه موج رونده موجبر شکافداری با سطح لوب کناری و پلاریزاسیون متقاطع پایین که از لحاظ ساخت عملی باشد، در باند Sطراحی وشبیه سازی می شود.
در فصل دوم، تعاریف و مقدمات لازم برای طراحی آنتن های آرایه ای و پارامترهای اساسی این آنتن ها بیان خواهد شد و تئوری اساسی تیلور که به طراحی آنتن آرایه ای با سطح لوب کناری پایین می پردازد مورد بررسی و ارزیابی قرار خواهد گرفت.
در فصل سوم برخی از نمونه های پایه آنتن های موجبر شکاف دار مانند انواع شکاف ها مختلف روی بدنه ها موجبر و همچنین انواع آرایه های موجبر شکاف دار و نحوه طراحی آن ها مورد بررسی قرار خواهد گرفت.
[1]radiate
[2]target
[3]reflect
[4]Signal processing
[5]Phase array
[6]Directivity
[7]Beam forming
[8]Slot waveguide array
[9]Standing wave
[10]Travelling wave
[11]Inclined slot
[12]Side lobe level
[13]Cross polarization
***ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است***
متن کامل را می توانید دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)
ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه
با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند
موجود است
کاربرد | دقت مورد نیاز |
مراقبت داخلی | 1 سانتی متر |
مکانیابی ابزاری | 1 سانتی متر |
راهنمای ربات داخلی | 8 سانتی متر |
راهنمای عابر پیاده | 1 متر |
سرویسهای مکانیابی | 3 متر |
اطلاعات قطار- اتوبوس- هواپیما | 30 متر |
مکانیابی حوادث | 1 متر |
درههای شهری | 50 سانتی متر |
جدول1-1: کاربرد و دقت مورد استفاده برای انواع مکانیابی
همانطور که در این جدول دیده میشود اکثر کاربردهای مهم مکانیابی نیاز به دقتهای سانتیمتر تا حداکثر متر دارند.
از ویژگیهای سیگنالهای فراپهنباند، قابلیت تفکیک سیگنالها از مسیرهای مختلف به دلیل باریک بودن پالسها است. قابلیت دیگر نفوذ و عبور از دیوارهها و البته انتقال داده با نرخهای بالا به دلیل پهنای باند وسیع است.
[1] GPS
[2] GLONASS
[3] Galileo
[4]Anchor
[5]Mobile Robot
[6]WLAN
***ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است***
متن کامل را می توانید دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)
ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه
با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند
موجود است
فصل 1- معرفی نانولولههای کربنی 1
1-1- دیباچه 3
1-2- گرافین و نحوه ساخت نانولولههای کربنی از گرافین 3
1-3- انواع نانولولههای کربنی 9
1-3-1- نانولوله کربنی زیگزاگ … 13
1-3-2- نانولوله کربنی مبلی … 14
1-4- مباحث فیزیکی 15
1-4-1- ناحیهی بریلوین 15
1-4-2- حالت بلاخ 15
1-4-3- نوسانهای بلاخ 16
1-5- تقویتکننده لولهای موج رونده 17
1-6- کاربرد نانولولههای کربنی 19
1-7- مطالب پایاننامه 19
فصل 2- معادله بولتزمن 21
2-1- دیباچه 23
2-2- رسانایی تفاضلی منفی 23
2-3- معادله بولتزمن 24
2-4- معادله جریانِ رسانایی بر حسب میدان اعمالی 24
فصل 3- ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولولههای کربنی 33
3-1- دیباچه 35
3-2- مدل مداری نانولولههای کربنی 35
3-3- عدم تطبیق امپدانس 37
3-4- ساختار کلی موجبری الکترومغناطیسی و روش برقراری اتصال 38
فصل 4- شبیهسازی نانولوله کربنی با بایاسDC و AC 41
4-1- دیباچه 43
4-2- شبیهسازی نانولوله کربنی با بایاس DC 43
4-3- شبیهسازی با استفاده از معادلههای بولتزمن و با درنظر گرفتن بایاس DC و AC 49
4-3-1- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (0،12) 49
4-3-2- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (10،0) 54
4-3-3- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (100،0) 56
فصل 5- شبیهسازی ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولولههای کربنی 61
5-1- دیباچه 63
5-2- شبیهسازی ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولوله کربنی 63
فصل 6- نتیجهگیریها و پیشنهادها 71
6-1- نتیجهگیریها 73
6-2- پیشنهادها 74
مرجعها……. 75
واژهنامه فارسی بهانگلیسی 77
واژهنامه انگلیسی بهفارسی 79
فهرست شکلها
شکل (1‑1) اوربیتالهای اتمی اتصال کربن-کربن در صفحه گرافین [1]. 4
شکل (1‑2) شبکه فضای حقیقی گرافین. سلول واحد بهرنگ خاکستری است [1]. 4
گرافین. ناحیهی بریلوین بهرنگ خاکستری نشان داده شده است [1]. 5
شکل (1‑4) دیاگرام پاشندگی انرژی گرافین [1]. 7
شکل (1‑5) گرافین یک صفحه تکاتمی از گرافیت است. نانولوله کربنی از لوله کردن گرافین بهشکل استوانه توخالی ایجاد میشود [1]. 8
شکل (1‑6) ساختار ششگوشه در صفحه مختصات گرافین [2]. 9
شکل (1‑7) صفحه مختصات گرافین. مسیر مبلی بهرنگ نارنجی، مسیر نامتقارن بهرنگ سبز و مسیر زیگزاگ بهرنگ آبی است [2]. 10
شکل (1‑8) شبکه و سلول واحد فضای واقعی نانولوله کربنی (الف) از نوع زیگزاگ (3،0) و (ب) نانولوله کربنی از نوع مبلی (3،3) [1]. 12
و ناحیه بریلوین (الف) نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (3،0) و (ب) نانولوله کربنی از نوع مبلی (3،3) [1]. 12
شکل (1‑10) دیاگرام پاشندگی الکترونی (الف) نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (3،0) و (ب) نانولوله کربنی از نوع مبلی (3،3). ناحیه سایهخورده زیرِ انرژی فرمی، منطبق با باند ظرفیت است [1]. 14
شکل (1‑11) احتمال اشغال الکترون برای (الف) (ب) [5]. 17
شکل (1‑12) ساختار تقویتکننده لولهای موج رونده [6]. 17
شکل (2‑1) چگالی جریان نرمالیزهشده برحسب بسامد زاویهای برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (سبزرنگ) و مبلی (نقطهچین قرمزرنگ) و ابرشبکهها (سیاهرنگ) [8]. 29
شکل (2‑2) چگالی جریان نرمالیزهشده برحسب میدان الکتریکی DC اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (سبزرنگ) و مبلی (نقطهچین قرمزرنگ) و ابرشبکهها (سیاهرنگ) [8]. 30
شکل (2‑3) مشخصه رسانایی تفاضلی نرمالیزهشده برحسب میدان الکتریکی DC اعمالی [8]. 31
شکل (3‑1) مدل مداری نانولوله کربنی [1]. 37
شکل (3‑2) نمایش عدم تطبیق امپدانس بین نانولوله کربنی و دنیای مقیاس بزرگ [1]. 38
شکل (3‑3) ساختار موجبر همصفحه (الف) نمای بالا (ب) نمای کنار [1]. 38
شکل (3‑4) ساختار موجبر همصفحه مورد استفاده و نحوه کاهش دادن عرض ناحیه میانی، محلی که نانولوله کربنی قرار خواهد گرفت [1]. 39
شکل (4‑1) سلول واحد نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (6،0). 45
شکل (4‑2) با گزینش سلولِ واحد نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (6،0)، 4 بار تکرار میشود. 46
شکل (4‑3) حالت بلاخ نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (6،0). 46
شکل (4‑4) اعمال بایاس DC بهنانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (6،0) با . 47
شکل (4‑5) نمودار I-V بهدست آمده برای نانولوله کربنی با . 48
شکل (4‑6) رسانایی تفاضلی منفی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (6،0). 49
شکل (4‑7) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 50
شکل (4‑8) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 51
شکل (4‑9) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 51
شکل (4‑10) بخش حقیقی رسانایی تفاضلی نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 53
شکل (4‑11) بخش حقیقی رسانایی تفاضلی نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 53
شکل (4‑12) بخش حقیقی رسانایی تفاضلی نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (12،0) با . 54
شکل (4‑13) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (10،0) با . 55
شکل (4‑14) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (10،0) با . 55
شکل (4‑15) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (10،0) با . 56
شکل (4‑16) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (100،0) با . 57
شکل (4‑17) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (100،0) با . 58
شکل (4‑18) جریان نرمالیزهشده برحسب ولتاژ DC نرمالیزهشده اعمالی برای نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ (100،0) با . 58
شکل (5‑1) ساختار موجبر همصفحه برای بررسی عبور موج از درون نانولوله کربنی [14]. 64
شکل (5‑2) ساختار پیشنهادی برای بررسی تطبیق امپدانس. 64
شکل (5‑3) نحوه قرارگیری نانولوله کربنی (مسیر آبیرنگ) درون ساختار پیشنهادشده با بزرگنمایی محل قرارگیری نانولوله کربنی درون شکافِ شکل (5-2) 65
شکل (5‑4) نحوه زمین کردن رسانای کناری در موجبر همصفحه. 66
شکل (5‑5) خطوط میدان الکتریکی (الف) مد زوج (ب) مد فرد [1]. 66
شکل (5‑6) قسمت حقیقی و موهومی رسانایی دینامیکی نانولوله کربنی از نوع مبلی [15]. 67
شکل (5‑7) تطبیق امپدانس ایجادشده با استفاده از ساختار شبیه سازیشده برای کاهش عدم تطبیق امپدانس. 68
شکل (5‑8) سیگنال ورودی (قرمز رنگ) سیگنال خروجی (نارنجی رنگ). 69
شکل (5‑9) نمایش تقویت سیگنال. با بزرگنمایی کردن شکل (5‑8). 69
نانولولههای کربنی[5] برای اولین بار توسط ایجیما[6] در سال 1991 کشف شدند و پس از آن تلاشهای بسیاری برای پیشبینی ساختار الکترونیک آنها انجام شده است. بهدلیل ویژگیهای منحصربهفردشان مانند :رسانایی بالا، انعطافپذیری، استحکام و سختی بسیار مورد توجه قرار گرفتند [1]. در این فصل بهبررسی ساختار نانولولههای کربنی و نحوه ساخت آنها از گرافین میپردازیم. انواع نانولولههای کربنی و نحوه شکلگیری آنها را توضیح داده، مباحث فیزیکی بسیار مهم در نانوساختارها را بیان میکنیم. همچنین ساختار تقویتکننده لولهای موج رونده[7] را مورد بررسی قرار میدهیم.
گرافین یک تکلایه از گرافیت است. همانطور که در شکل (1‑1) نشان داده شده است، اتصال کربن-کربن در گرافین توسط اوربیتالهای پیوندی، 2sp، اتصالهای s را تشکیل میدهند و باقیمانده اوربیتالها، zp، اتصالهای π را تشکیل میدهند. اتصالهای π و s بهصورت زیر تعریف میشوند:
s اتصالهای درون صفحهای را تشکیل میدهد، در حالیکه اتصالهای π، از نوع اتصالهای بیرون صفحهای است که هیچگونه برخوردی با هسته ندارند. اتصالهای s در گرافین و نانولولههای کربنی خصوصیتهای مکانیکی قوی را ایجاد میکنند. بهعبارت دیگر رسانایی الکترون بهطور گسترده از طریق اتصالهای π است. با توجه بهشکل (1‑1) میتوان بهاین خصوصیت پی برد. همانطور که دیده میشود هیچگونه صفری[8] در اوربیتالهای اتصال π نیست، الکترونها آزادانه اطراف شبکه حرکت میکنند که اصطلاحا غیرمحلی شده[9] گفته میشوند و یک شبکه متصل تشکیل میدهند که نحوهی رسانایی گرافین و نانولولههای کربنی را توضیح میدهد [1].
شکل (1‑1) اوربیتالهای اتمی اتصال کربن-کربن در صفحه گرافین [1].
شبکه فضای حقیقی دو-بعدی گرافین در شکل (1‑2) نشان داده شده است. سلولِ واحد گرافین از دو اتم مجزا با فاصلهی دروناتمی تشکیل شده است. بردارهای واحدِ آن بهشکل زیر هستند:
(1‑1)
که در آن ثابتشبکه است. سلول واحد از دو بردار شبکه تشکیل شده است، که در شکل (1‑2) بهرنگ خاکستری است [1].
شکل (1‑2) شبکه فضای حقیقی گرافین. سلول واحد بهرنگ خاکستری است [1].
شبکه دوبعدی فضای k در شکل (1‑3) نشان داده شده است. بردارهای واحد همپاسخ 1b و 2b توسط معادله زیر قابل دستیابی هستند:
(1‑2)
که dij دلتای کرونِکر است. در نتیجه:
(1‑3)
ثابت شبکه همپاسخ است. اولین ناحیهی بریلوین[10] گرافین درشکل (1‑3) بهرنگ خاکستری نشان داده شده است [1].
شکل (1‑3) شبکه فضای k گرافین. ناحیهی بریلوین بهرنگ خاکستری نشان داده شده است [1].
مدل اتصال محکم[11] بهطور معمول برای دستیابی بهشکل تحلیلی پاشندگی انرژی الکترونی و یا ساختار باند E گرافین بهکار میرود. چون حل معادله شرودینگر عملا در سامانههای بزرگ غیرممکن است مدلهای تقریبی زیادی با افزایش یافتن پیچیدگی موجود است. تقریب اتصال محکم بهعنوان یکی از سادهترین روشها شناخته شده است. در این قسمت بهتوضیحی مختصر درباره چگونگی دستیابی بهرابطه پاشندگی الکترونی گرافین پرداخته میشود. چند فرض اولیه زیر را در نظر میگیریم:
برای رسیدن بهتابع پاشندگی گرافین باید معادله شرودینگر برای یک الکترون مورد اعمال پتانسیلِ شبکه، مانند زیرحل شود:
(1‑4)
H همیلتونینِ شبکه، U پتانسیل شبکه،m جرم الکترون، jE تابع ویژه وYj انرژی ویژه برای jامین باند با بردار موج k است. چون این یک مسئله متناوب است، تابع ویژه (یا تابع بلاخ[12]) باید تئوری بلاخ را که بهشکل زیر داده شده برآورده کند:
(1‑5)
بردار شبکه براوایس[13] است، r1 و r2 عددهای صحیح هستند [1]. بنابراین تابع موج در فضای همپاسخ با بردار شبکه همپاسخ متناوب است که q1 و q2 عدد صحیح هستند:
(1‑6)
در نهایت ساختار باند گرافین بهشکل زیر تقریب زده میشود [1]:
(1‑7)
پارامتر انتقال g0 با محاسبههای فرض اولیه[14] حدود 7/2 الکترونولت تخمین زده میشود. همانطور که انتظار میرود مقدارهای انرژی مثبت و منفی بهترتیب بهباند رسانایی و ظرفیت اشاره دارد. پاشندگی گرافین در شکل (1‑4) نشان داده شده است. دیده میشود که گرافین هیچگونه باند توقفی ندارد و نیمهرسانا با باند توقف صفر است. اگرچه کلمه رسانا بهگرافین یا نانولولهی کربنی با باند توقف صفر اشاره دارد. نقاطی که از انرژی فرمی عبور میکنند نقاط kگویند و با لبههای ششگوشه[15] برخورد دارند. بیشترین مشخصههای رسانایی الکترونیک با بایاس کم توسط نواحی اطراف نقاط k تعیین میشوند [1].
[1] Radio frequencies: RFs
[2] Carbon nanotube: CNT
[3] Traveling wave tube: TWT
[4] Negative differential conductivity: NDC
[5] Carbon nanotubes: CNTs
[6] Ijima
[7] Traveling wave tube: TWT
[8] Null
[9] Delocalized
[10] Brillouinz one: BZ
[11] Tight binding
[12] Bloch
[13] Bravais
[14] First principle
[15] Hexagon
***ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است***
متن کامل را می توانید دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)
ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه
با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند
موجود است